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电子开关

固态射频开关：

依靠固态器件来进行操作，即PIN二极管、GaAs FET、高速硅二极管或混合电路等， 用于切换高频信号。从单刀单掷到可将单个输入转换成16种不同输出状态的单刀十六掷，或更多掷的构型。切换开关为一种双刀双掷构型的开关。此类开关具有四个端口以及两种可能的开关状态，从而可将负载在两个源之间切换。影响射频开关的电气参数主要有隔离度、插入损耗、开关时间及功率处理能力等。

手册目录
型号类型频率范围主要指标连接器类型壳体材质驱动方式尺寸(mm)
MX-SPST-0040RLSPST反射式开关9kHz-40GHz插损2.5dB,隔离30dB,功率0.25W2.92mm母黄铜镀金VD=+5V，VC=TTL30x20x9.5
MX-SPST-0040RHSPST反射式开关9kHz-40GHz插损3.5dB,隔离45dB,功率0.25W2.92mm母黄铜镀金VD=-5V，VC=TTL30x20x9.5
MX-SPDT-0050RLSPDT反射式开关9kHz-50GHz插损3dB,隔离40dB,功率0.25W2.4mm母黄铜镀金VD=-5V，VC=TTL30x30x9.5
MX-SPDT-0050RHSPDT反射式开关9kHz-50GHz插损5dB,隔离70dB,功率0.25W2.4mm母黄铜镀金VD=-5V，VC=TTL30x30x9.5
MX-SPDT-0067RLSPDT反射式开关0.1-67GHz插损4dB,隔离25dB,功率0.25W1.85mm母黄铜镀金VD=+5V，VC=TTL30x40x9.5
MX-SPDT-0067RHSPDT反射式开关0.1-67GHz插损5.5dB,隔离45dB,功率0.25W1.85mm母黄铜镀金VD=+5V，VC=TTL30x40x9.5
MX-SPDT-0008NSPDT反射式开关0.1-8GHz插损1.2dB,隔离40dB,功率10WSMA母黄铜镀金0V/-40V30x30x9.5
MX-SPDT-0018NSPDT反射式开关0.1-18GHz插损2.5dB,隔离00dB,功率10WSMA母黄铜镀金0V/-40V30x30x9.5
MX-SPDT-0220RLSPDT反射式开关2-20GHz插损2dB,隔离30dB,功率0.25WSMA母黄铜镀金VD=+5V，VC=TTL30x30x9.5
MX-SPDT-0220RHSPDT反射式开关2-20GHz插损3.5dB,隔离50dB,功率0.25WSMA母黄铜镀金VD=+5V，VC=TTL30x30x9.5
MX-SPDT-1040RLSPDT反射式开关10-40GHz插损2dB,隔离30dB,功率0.25W2.92mm母黄铜镀金VD=+5V，VC=TTL30x30x9.5
MX-SPDT-1040RHSPDT反射式开关10-40GHz插损3dB,隔离50dB,功率0.25W2.92mm母黄铜镀金VD=+5V，VC=TTL30x30x9.5
MX-SP3T-0008SP3T吸收式开关90kHz-8GHz插损1.5dB,隔离40dB,功率0.25WSMA母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL32x32x10
MX-SP3T-0220RSP3T反射式开关2-20GHz插损2dB,隔离40dB,功率0.5WSMA母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL32x32x14
MX-SP3T-1040RSP3T反射式开关10-40GHz插损2.5dB,隔离40dB,功率0.5W2.92mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL32x32x14
MX-SP3T-0040RSP3T反射式开关0.1-40GHz插损3.5dB,隔离40dB,功率0.25W2.92mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL32x32x14
MX-SP3T-0050RSP3T反射式开关0.1-50GHz插损4dB,隔离35dB,功率0.25W2.4mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL32x32x14
MX-SP4T-0006SP4T吸收式开关0.1-6GHz插损1dB,隔离35dB,功率0.5WSMA母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL40x40x10
MX-SP4T-0220RSP4T反射式开关2-20GHz插损2dB,隔离35dB,功率0.5WSMA母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP4T-0220ASP4吸收式开关2-20GHz插损3.5dB,隔离55dB,功率0.5WSMA母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP4T-1040RSP4T反射式开关10-40GHz插损2.5dB,隔离35dB,功率0.5W2.92mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP4T-1040ASP4T吸收式开关10-40GHz插损4dB,隔离55dB,功率0.5W2.92mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP6T-1040RSP6T反射式开关10-40GHz插损4dB,隔离30dB,功率0.5W2.92mm母铝合金本导VD=±5V，VC=TTL特殊
MX-SP6T-1040RHSP6T反射式开关10-40GHz插损5.5dB,隔离55dB,功率0.5W2.92mm母铝合金本导VD=±5V，VC=TTL特殊
MX-SP6T-1040ASP6T吸收式开关10-40GHz插损6dB,隔离55dB,功率0.2W2.92mm母铝合金本导VD=±5V，VC=TTL特殊
MX-SP6T-0040RSP6T反射式开关0.1-40GHz插损5dB,隔离30dB,功率0.5W2.92mm母铝合金本导VD=±5V，VC=TTL特殊
MX-SP6T-0040RHSP6T反射式开关0.1-40GHz插损6dB,隔离55dB,功率0.5W2.92mm母铝合金本导VD=±5V，VC=TTL特殊
MX-SP6T-0040ASP6T吸收式开关0.1-40GHz插损6.5dB,隔离55dB,功率0.2W2.92mm母铝合金本导VD=±5V，VC=TTL特殊
MX-SP8T-0008ASP8T吸收式开关10MHz-8GHz插损2dB,隔离50dBSMA母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP8T-0008BSP8T吸收式开关9kHz-8GHz插损2dB,隔离50dBSMA母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP8T-1040RSP8T反射式开关10-40GHz插损3.5dB,隔离25dB,功率0.25W2.92mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP8T-0040RSP8T反射式开关100M-40GHz插损3.5dB,隔离25dB,功率0.25W2.92mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP8T-1050RSP8T反射式开关10-50GHz插损4dB,隔离30dB,功率0.25W2.4mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP8T-0040ASP8T吸收式开关100M-40GHz插损8dB,隔离45dB,功率0.25W2.92mm母铝合金本导铝合金本导特殊
MX-SP4T-0026RSP4T反射式开关90k ~26.5GHz高隔离 75dBSMA母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP3T-0026RSP3T反射式开关90k ~26.5GHz高隔离 75dBSMA母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP4T-0040RSP4T反射式开关90k ~40GHz高隔离 75dB2.92mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊
MX-SP3T-0040RSP3T反射式开关90k ~40GHz高隔离 75dB2.92mm母铝合金本导VD=+5V，VC=TTL特殊

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